COT-H在金属Ru表面上沉积的光电子能谱分析

作     者：施申蕾 楼辉 张建华 吕萍 江宁 何丕模 鲍世宁 

作者机构：浙江大学物理系 浙江大学化学系杭州310027 

出 版 物：《物理化学学报》 (Acta Physico-Chimica Sinica)

年 卷 期：2002年第18卷第1期

页      面：30-33页

核心收录：

学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 070302[理学-分析化学] 0703[理学-化学] 

基　　金：国家自然科学基金(10074054和20074032)资助项目~~ 

主　　题：有机发光材料 紫外光电子能谱 界面电子结构 环辛四烯 有机发光器件 金 表面沉积 

摘      要：采用紫外光电子能谱(UPS),分析了不对称四苯基四苯乙炔基环辛四烯(COT-H)有机发光材料与金属之间的界面电子结构,研究了在金属/COT-H界面上的逸出功变化.UPS谱中位于费米能级以下5.6、7.9和10.2eV处的三个谱峰分别来自于COT-H材料中苯环的πCC、σCC和σCH轨道.位于3.8eV处的谱峰反映了八个苯环聚合后具有π轨道特性的C-C键.从UPS谱图中可以看到,COT-H材料的最高占有态(HOS:highestoccu-piedstate)位于费米能级以下1.8eV处.COT-H材料的逸出功只有3.2eV,比清洁Ru表面的逸出功小1.0eV.角分辨紫外光电子能谱(ARUPS)的结果表明,组成COT-H分子应该近似平行于衬底表面.