中子残余应力谱仪静态屏蔽体表面辐射剂量率初算
Calculation of surface dose rate of shielding for residual stress neutron diffractometer作者机构：中国工程物理研究院核物理与化学研究所绵阳621900
出 版 物：《核技术》 (Nuclear Techniques)
年 卷 期：2012年第35卷第7期
页 面：531-534页
核心收录：
学科分类：08[工学] 0827[工学-核科学与技术] 082701[工学-核能科学与工程]
基 金：中国工程物理研究院科学技术发展基金项目(批准号:2010A0103002)资助
摘 要：中子残余应力谱仪静态屏蔽体主要用于对谱仪装置的附加闸门、中子导管等组件的辐射剂量的屏蔽,使装置操作人员可以安全地在装置周围活动。通过MCNP5程序对谱仪装置静态屏蔽体的屏蔽能力进行了计算,可为该方案的改进、优化提供依据,以便最终制造出满足辐射剂量要求的屏蔽体。
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