HCl氧化物MOS结构质子辐照诱导的界面陷阱效应
The Proton Radiation-Induced Interface Traps Effects on MOS Structure of HCl Oxides作者机构：上海科技大学物理系201800 上海射线应用研究所201800
出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)
年 卷 期：1992年第12卷第4期
页 面：357-361页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：用微分电容法研究质子辐照HCl氧化物铝栅MOS结构诱导的界面陷阱,栅氧化层在1 160℃很干燥的、含0～10％HCl的气氛中热生长而成,质子辐照能量为120～300keV,注入总剂量范围为8×10^(13)～1×10^(16)p/cm^2。结果表明,辐照诱导的界面陷阱能级密度随质子能量、剂量增加而增加。然而,氧化层中掺入6％HCl时,辐照诱导的界面陷阱明显减少。这样,已能有效地改变MOS器件的抗辐照性能。实验结果可用H^+二级过程解释。
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