在6H-SiC衬底上用低压MOVPE法生长AlN和GaN的过程中用(AlN/GaN)多层缓冲层来控制残余应力

作     者：Ishihara Y Kawanishi H Takano T Horie M 

作者机构：Department of Electronic Engineering Kohgakuin University 2665-1 Nakano-machi Hachiohji-shi Tokyo 192-00125 Japan Department of Electronic Engineering Kohgakuin University 2665-1 Nakano-machi Hachiohji-shi Tokyo 192-00125 Japan Department of Electronic Engineering Kohgakuin University 2665-1 Nakano-machi Hachiohji-shi Tokyo 192-00125 Japan Department of Electronic Engineering Kohgakuin University 2665-1 Nakano-machi Hachiohji-shi Tokyo 192-00125 Japan 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2001年第22卷第S1期

页      面：5-9页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：Project of Grants-In Aid(11750020 , 11650354) Fund of the Ministry of Education, Science, Sports and Culture, and High-Tec Research Center in Private Universities 

主　　题：残余应力控制 AlN和GaN外延层 (AlN/GaN)多缓冲层 低压MOVPE 

摘      要：人们已提出用BAlGaN四元系材料制备紫外光谱区的光发射器件.GaN和AlN二元系是这种四元材料在器件应用中的基础材料.6H-SiC衬底在氮化物生长中因其晶格失配小是一大优势,而且SiC衬底的热膨胀系数也和AlN的很接近.然而,对于AlN外延层来说,需要控制其中的残余应力,因为在SiC衬底上直接生长的AlN外延层中存在着因晶格失配所产生的压缩应力.另一方面,在SiC衬底上直接生长的GaN外延层中存在着拉伸应力.这种拉伸应力起源于GaN比衬底有着更大的热膨胀系数.本文讨论了在6H-SiC衬底上生长的氮化物外延层中残余应力的类型、数量及控制.为此目的,提出了在6H-SiC衬底上,无论是生长AlN,还是生长GaN,都可以采用(GaN/AlN)多层缓冲层的办法,作为控制残余应力的有效方法.我们还讨论了AlN和GaN外延层的结晶质量和残余应力间的关系.