分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究
Optical and electrical characterizations of ZnSe self-organized quantum dots grown by molecular beam epitaxy作者机构：中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室北京100083 香港科技大学物理系
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2002年第51卷第2期
页 面：310-314页
核心收录：
学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0704[理学-天文学]
基 金：国家自然科学基金 (批准号 :6 0 0 76 0 0 8) 国家重点基础研究发展项目 (批准号 :G2 0 0 0 6 83) 香港科技大学 (批准号 :HKUST6 135 97P)资助的课题~~
主 题：Ⅱ-Ⅵ半导体 自组织量子点 ZnSe 分子束外延生长 光学特性 电学特性 硒化锌
摘 要：分别应用光致发光、电容 电压和深能级瞬态傅里叶谱技术详细研究ZnSe自组织量子点样品的光学和电学行为 .光致发光温度关系表明ZnSe量子点的光致发光热猝火过程机理 .两步猝火过程的理论较好模拟和解释了相关的实验数据 .电容 电压测量表明样品表观载流子积累峰出现的深度 (样品表面下约 10 0nm处 )大约是ZnSe量子点层的位置 .深能级瞬态傅里叶谱获得的ZnSe量子点电子基态能级位置为ZnSe导带下的 0 11eV ,这与ZnSe量子点光致发光热猝火模型得到的结果一致 .
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