硅中90度部分位错双周期结构的运动特性

作     者：王超营 王振清 孟庆元 WANG Chao-ying;WANG Zhen-qing;MENG Qing-yuan

作者机构：哈尔滨工程大学工程力学系哈尔滨150001 哈尔滨工业大学航天科学与力学系哈尔滨150001 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2011年第40卷第4期

页      面：1043-1047页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(10772062) 中央高校基本科研业务费专项资金(HEUCFR1107)资助项目 

主　　题：硅 90度部分位错 运动特性 分子模拟 

摘      要：利用基于紧束缚势(TB)的分子模拟方法研究了硅中90度部分位错双周期(DP)结构的运动特性。详尽描述了该结构的左弯结和右弯结在一个周期内的运动过程。利用共轭梯度(conjugate gradients:CG)法计算得到了DP结构中左、右弯结的形成能。另外,在弯结运动过程的基础上,利用NEB(nudged elastic band)方法计算出了左、右弯结在一个运动周期内的迁移势垒,并且发现Si中90度部分位错的运动主要受弯结迁移势垒的控制。最后,根据位错运动的活化能理论分别得到了决定90度部分位错运动的长位错段和短位错段的活化能。