质子辐射对铌酸锂多功能集成光路器件的影响
Effects of Proton Radiation on LiNbO_3 Multifunction Integrated Optical Circuit作者机构：重庆光电技术研究所重庆400060
出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)
年 卷 期：2011年第32卷第3期
页 面：343-347页
学科分类：070207[理学-光学] 07[理学] 0702[理学-物理学]
主 题：铌酸锂 多功能集成光路器件 质子辐射 SRIM2008
摘 要：利用模拟软件SRIM2008计算了质子辐射对铌酸锂多功能集成光路器件(MIOC)的影响,结合质子辐射效应地面模拟试验的结果,分析比较了不同的质子辐射能量和注量对多功能集成光路器件的影响,给出了多功能集成光路器件质子辐射试验的数据和分析,讨论了多功能集成光路器件抗质子辐射的能力。
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