沉积温度对HfO_2薄膜应力及光学特性的影响

作     者：齐瑞云 吴福全 郝殿中 王庆 韩培高 

作者机构：曲阜师范大学激光研究所山东省激光偏光与信息技术重点实验室 

出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期：2011年第22卷第6期

页      面：884-887页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：山东省自然科学基金资助项目(ZR2009GL010) 

主　　题：残余应力 本征应力 HfO2薄膜 沉积温度 光学特性 微结构 

摘      要：采用电子枪蒸镀法制备了不同沉积温度下的HfO2薄膜样品,利用ZYGO干涉仪、UV3101-PC分光光度计、X射线衍射(XRD)仪和冷场发射扫描电镜(SEM)对样品进行了测试。结果表明,在实验所选择的沉积温度下,制备的薄膜都是非晶态结构;残余应力和本征应力均为张应力,沉积温度低于220℃时热应力对残余应力起主要作用;沉积温度高于220℃时,本征应力对残余应力起主要作用,且沉积温度220℃时残余应力最小;HfO2折射率随沉积温度的升高而增大,不同沉积温度下制备的薄膜折射率都是正常色散;沉积温度220℃下制备的薄膜平整度最好。这些结果可以为镀制高质量HfO2薄膜提供参考。