一种新型的高频半导体量子点单电子泵

作     者：李玲 Kaestner B Blumenthal M D Giblin S Janssen T J B M Pepper M Anderson D Jones G Ritchie D A 高洁 Li Ling;Kaestner B;Blumenthai M D;Giblin S;Janssen T J B M;Pepper M;Anderson D;Jones G;Ritchie D A;Gao Jie

作者机构：四川大学物理科学与技术学院成都610064 四川师范大学物理学院与固体物理研究所成都610066 Physikalisch-Technische Bundesanstalt38100 BraunschweigGermany National Physical LaboratoryHampton RoadTeddington TWI 1 0LWUK Cavendish LaboratoryUniversity of CambridgeCambridge CB30HEUK 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2008年第57卷第3期

页      面：1878-1885页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 07[理学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0704[理学-天文学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金重点项目(批准号:60436010) 国家科技支撑计划(批准号:2006BAF06B09) 四川师范大学校基金(批准号:07ZDY004)资助的课题~~ 

主　　题：单电子输运 单电子旋转门 单电子泵 量子化电流平台 

摘      要：除了直流负电压外,还在浅法刻蚀出的GaAs/AlGaAs量子线上的两个金属指形门上分别叠加两个相位相差π的正弦信号,从而对形成量子点的两个势垒作不等幅调制.在无源漏偏压的情况下,通过周期形成的量子点实现了单电子的搬运.由于新的半导体量子点单电子泵不是依赖库仑阻塞效应通过隧穿进行单电子输运,因此,该器件就不会受到固定隧穿时间引起的低工作频率限制.在1.7K温度下,频率达到3GHz仍然可以观测到量子化电流平台,对应的电流值达到0.5nA量级.这种新器件提供了实现高速度、高精度搬运单电子的另一种可能途径.