AlN/S i(100)上CVD SiC薄膜的光致发光谱

作     者：秦臻 韩平 韩甜甜 鄢波 李志兵 谢自力 朱顺明 符凯 刘成祥 王荣华 李云菲 S.Xu N.Jiang 顾书林 张荣 郑有炓 QIN Zhen;HAN Ping;HAN Tian-tian;YAN Bo;LI Zhi-bing;XIE Zi-li;ZHU Shun-ming;FU Kai;LIU Cheng-xiang;WANG Rong-hua;LI Yun-fei;S. Xu;N. Jiang;Gu Shu-lin;ZHANG Rong;ZHENG You-dou

作者机构：南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室 Plasma Sources and Applications CentreNIENanyang Technological UniversitySingapore 637616 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2005年第34卷第6期

页      面：1126-1131页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家重点基础研究发展规划资助项目(G2000068305) 

主　　题：CVD 4H—SiC 光致发光 

摘      要：本工作用化学气相淀积方法在A lN/S i(100)复合衬底上生长S iC薄膜。外延生长过程中,采用C4H4和S iH4作为反应气源,H2作为载气。样品的X-射线衍射谱和拉曼散射谱显示,所得到的外延层为六角对称的S iC薄膜。俄歇电子能谱及X-射线光电子能谱的测量结果表明,在外延膜中存在来自衬底的A l和N元素。样品的光致发光测量显示,所有的样品均可在室温下观察到位于3.03 eV和3.17 eV处的发光峰,这分别相应于4H-S iC能带中电子从导带到A l受主能级之间的辐射跃迁和电子从N施主能级到价带之间的辐射跃迁,从而表明所得的外延薄膜的多形体为4H-S iC。