MEMS SOI高温压力传感器芯片

作     者：郭玉刚 饶浩 陶茂军 田雷 吴佐飞 GUO Yu-gang;RAO Hao;TAO Mao-jun;TIAN Lei;WU Zuo-fei

作者机构：中国航空发动机集团控制系统研究所江苏无锡214063 中国电子科技集团公司第四十九研究所黑龙江哈尔滨150001 

出 版 物：《传感器与微系统》 (Transducer and Microsystem Technologies)

年 卷 期：2018年第37卷第11期

页      面：92-95页

学科分类：080202[工学-机械电子工程] 08[工学] 0802[工学-机械工程] 

主　　题：压力传感器 绝缘体上硅 微机电系统 稳定性 

摘      要：研制了一种基于微机电系统(MEMS)技术的压阻式绝缘体上硅(SOI)高温压力传感器芯片。压力敏感电阻器与衬底之间采用二氧化硅介质隔离,解决了传统的PN结隔离方式在高温条件下的漏电失效问题。研制的高温压力芯片压力量程为0~2 MPa,室温1 m A条件下满量程输出信号达到100 m V以上,非线性小于0.15%FS,压力迟滞小于0.05%FS。在-55^+150℃温度范围内,零点温度系数小于20μV/℃,灵敏度温度系数小于0.02%FS/℃,零点温度迟滞小于0.1%FS。将芯片样本在150℃环境下进行了短期零点时漂测试验证其稳定性,结果优于0.05%FS。