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一种BiCMOS过热保护电路

A BiCMOS Thermal-Shutdown Protection Circuit

作     者:刘振丰 冯全源 LIU Zhen-feng;FENG Quan-yuan

作者机构:西南交通大学微电子研究所四川成都610031 

出 版 物:《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期:2005年第35卷第6期

页      面:655-657,611页

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 

基  金:国家自然科学基金资助项目(60371017) 四川省学术和技术带头人资助项目 

主  题:过热保护 BiCMOS 电源管理 

摘      要:提出了一种集成于电源管理芯片内部的过热保护电路。采用0.6μm B iCMOS工艺参数,对电路进行模拟仿真,并与先前提出的过热保护电路进行比较。结果表明,该电路具有关断和开启阈值点的准确性强、对温度灵敏度高、超低静态电流和低功耗等特点。

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