GaAs FET功率放大器温度补偿的设计
Design of the temperature compensation in the GaAs FET power amplifier作者机构：中国电子科技集团公司第十六研究所合肥230043
出 版 物：《低温与超导》 (Cryogenics and Superconductivity)
年 卷 期：2007年第35卷第4期
页 面：352-354页
核心收录：
学科分类：080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：介绍了GaAs FET功率放大器温度补偿的基本原理,分析了GaAs FET功率放大器的增益随温度变化的原因,并给出了解决方法。此方法还可移植到其他类似需要温度补偿的放大器中。
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