中能质子在Si和GaAs中导致的非电离能损研究
Non-ionizing Energy Loss of Middle Energy Proton in Si and GaAs作者机构：上海大学射线应用研究所上海201800 中国原子能科学研究院核物理研究所北京102413
出 版 物：《高能物理与核物理》 (High Energy Physics and Nuclear Physics)
年 卷 期：2006年第30卷第11期
页 面：1088-1090页
核心收录：
学科分类：08[工学] 0827[工学-核科学与技术] 082701[工学-核能科学与工程]
摘 要：非电离能损(NIEL)引起的位移损伤效应是空间装置失效的原因之一．运用改进的Monte Carlo程序SHIELD,建立了质子的NIEL计算手段,模拟计算了能量范围在10-400MeV的中能质子在硅和砷化镓中的NIEL的大小和分布．
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