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偏压在隧道效应中的作用

The effect of bias voltage in tunneling phenomena

作     者:郑碧华 熊正烨 ZHENG Bi-hua;XIONG Zheng-ye

作者机构:湛江海洋大学理学院广东湛江524088 中山大学物理科学与工程技术学院广东广州510275 

出 版 物:《大学物理》 (College Physics)

年 卷 期:2005年第24卷第7期

页      面:16-18页

学科分类:07[理学] 070201[理学-理论物理] 0702[理学-物理学] 

基  金:广东省自然科学基金资助项目(01009733) 

主  题:扫描隧穿显微镜(STM) 隧道效应 量子力学 

摘      要:从隧道扫描势垒模型出发,用量子力学导出隧道电流与针尖间的偏压、间距及它们的逸出功之间的关系,并从能带模型的角度导出样品与针尖的间距不变时,隧道电流与偏压成正比关系.指出偏压的作用主要是提高针尖上电子的能量,使针尖上的电子比样品上的电子更容易穿过势垒,从而形成隧道电流.

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