一种低1/f噪声CMOS混频器的分析和设计
The Analysis and Design of a Low 1/f Noise CMOS Mixer作者机构：上海交通大学微纳米技术研究院上海200030 华虹NEC电子有限公司上海201203
出 版 物：《微处理机》 (Microprocessors)
年 卷 期：2009年第30卷第2期
页 面：17-19页
学科分类：080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：通过分析混频器中噪声的产生机制,阐述了降低混频器1/f噪声的措施,设计了一种采用动态电流注入和谐振电感的可应用于零中频的低1/f噪声有源混频器。该混频器有很低的转角频率,NF在100kHz时仅为11.8dB,转换增益为14.5dB,IP3为-4.76dBm,功耗为7.5mW。
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