IGCT——更高功率处理能力的正确选择

作     者：Thomas Stiasny Vasileios Kappatos Thomas Setz Sven Klaka Makan Chen Madhan Mohan Thomas Stiasny;Vasileios Kappatos;Thomas Setz;Sven Klaka;Makan Chen;Madhan Mohan

作者机构：ABB瑞士半导体有限公司 

出 版 物：《大功率变流技术》 (HIGH POWER CONVERTER TECHNOLOGY)

年 卷 期：2015年第6期

页      面：1-7,24页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

主　　题：IGCT 大功率 可靠性 效率 低损耗 功率半导体 

摘      要：IGCT被视为大功率应用的理想开关器件,其主要优势不仅体现在高可靠性上,同时,其低损耗使得系统损耗较低。在三电平拓扑中,IGCT与目前最高水平的IGBT在器件损耗方面的对比结果为IGCT的较低。由于IGCT器件是基于晶闸管特性,系统中独立的箝位电路设计是必须的,以实现其与续流二极管配合工作时的高可靠性。文中不仅提到了对故障现象的特别考虑,重点介绍了外围电路设计和故障电流保护策略,而且介绍了IGCT目前最新的研发成果。在朝更大功率容量方向发展方面,IGCT器件具有很大的潜力。