应用数学模型指导负阻Gunn器件的电路设计
Applying the mathematical model to the design of the circuit of negative resistance Gunn device作者机构：济南大学信息与控制工程系山东济南250022
出 版 物：《山东轻工业学院学报（自然科学版）》 (Journal of Shandong Polytechnic University)
年 卷 期：2001年第15卷第2期
页 面：12-17页
学科分类：080904[工学-电磁场与微波技术] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：根据Gunn器件GaAs材料的半导体物理特性 ,由载流子所满足的Poisson方程和电流连续性方程入手 ,分析了器件内部场分布特性 ,并采用数值法获得了Gunn器件的基波大信号特性。将描述Gunn器件谐波特性的数学模型应用到电路设计 ,不需要作进一步参数修正便可得到与实际相符的结果。
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