顶发射聚合物发光二极管的出光率分析

作     者：桂宇畅 文尚胜 张剑平 王保争 赵宝锋 

作者机构：华南理工大学高分子光电材料及器件研究所广东广州510640 华南理工大学特种功能材料教育部重点实验室广东广州510640 

出 版 物：《光学学报》 (Acta Optica Sinica)

年 卷 期：2011年第31卷第6期

页      面：291-297页

核心收录：

学科分类：0808[工学-电气工程] 070207[理学-光学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 

基　　金：广东省工业科技攻关计划项目(B09B2071220) 广东省国际科技合作计划项目(B09B2051110)资助课题 

主　　题：薄膜 顶发射聚合物发光二极管 出光率 传输矩阵法 分布布拉格反射器 

摘      要：采用传输矩阵法及Matlab软件模拟以聚合物MEH-PPV为发光材料的顶发射聚合物发光二极管(TEPLED)出光率,探讨了阳极材料、阴极材料、折射率匹配层以及发光角度等对器件出光率的影响。从仿真结果可知以传统分布布拉格反射器(DBR)为衬底的器件与以Ag膜为反射阳极的器件相比,表现出更高的出光率,达到47.43%。针对半透明金属阴极对光线的吸收和反射问题,设计了以透明材料为阴极的器件,提高了TEPLED出光率,达到67.11%,与以Ag膜为阴极的器件相比,出光率高出10%。分析了DBR对器件出光角度的影响,结果表明,器件在较小出光角度范围(30°)内DBR结构对整个TEPLED出光率影响较小;当角度大于30°时,器件出光率受DBR的反射特征影响较大。DBR的应用为TEPLED出光率的优化设计提供了理论依据。