加电旋光晶体La_3Ga_5SiO_(14)中光的传播方程的研究

作     者：田召兵 张少军 李世忱 TIAN Zhao-bing;ZHANG Shao-jun;LI Shi-chen

作者机构：山东大学晶体材料研究所国家重点实验室山东济南250100 天津大学精密仪器学院天津300072 

出 版 物：《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)

年 卷 期：2005年第32卷第11期

页      面：1539-1542页

核心收录：

学科分类：0808[工学-电气工程] 080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 

基　　金：光电信息技术科学教育部重点实验室(天津大学)开放课题资助项目 

主　　题：激光物理 电光Q开关 旋光晶体 硅酸镓镧晶体 

摘      要：为了更好地解决用旋光晶体制作电光Q开关中的问题,需要从理论上对光的传播方程进行研究。通过对硅酸镓镧旋光晶体中电光效应和旋光效应对光的偏振态影响的研究,推导出了处于外加电场中的旋光晶体中光的传播方程的表达式,以及透过光强的表达式,并利用几种简单的光学器件在实验上得到了很好的验证。利用光的传播方程和实验的结果,推算出硅酸镓镧晶体电光系数1γ1=2.1×10-12m/V,与以前测量的结果吻合得很好;找到了利用旋光晶体制作电光开关应该满足的条件,给出了一种制作方法,在实验上得到了很好的实现,从而证实了旋光晶体作为电光开关材料的可行性。