沉积温度和速率对电子束沉积ZnSe薄膜应力特性的影响

作     者：饶文萍 王颖 章岳光 刘旭 

作者机构：浙江大学现代光学仪器国家重点实验室浙江杭州310027 云南国防工业职业技术学院云南昆明650222 

出 版 物：《浙江大学学报（工学版）》 (Journal of Zhejiang University：Engineering Science)

年 卷 期：2009年第43卷第11期

页      面：2059-2061页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60778025 60708013) 浙江大学国防预研基金资助项目 

主　　题：电子束沉积 ZnSe薄膜 薄膜应力 沉积温度 沉积速率 

摘      要：在不同沉积温度和速率下,采用电子束蒸发法制备ZnSe薄膜样品,利用ZYGO GPI型干涉仪测试样品的应力行为,并采用X射线衍射(XRD)技术测试样品的晶向特征.实验结果表明,在不同条件下制备的ZnSe薄膜均呈现压应力,应力随着沉积温度升高而增大,在200℃应力达到最大值,之后应力随沉积温度升高呈下降趋势.XRD结果表明,沉积速率直接影响ZnSe薄膜的晶向结构,进而改变ZnSe薄膜内应力;当沉积速率为1.5 nm/s时,薄膜应力最小.