事件相关电位N400神经发生源研究

作     者：王继军 张明岛 外间宏人 谢斌 肖泽萍 

作者机构：上海市精神卫生中心200030 日本琉球大学医学部精神医学教研室 

出 版 物：《上海精神医学》 (Shanghai Archives of Psychiatry)

年 卷 期：2006年第18卷第1期

页      面：5-9页

学科分类：1002[医学-临床医学] 100205[医学-精神病与精神卫生学] 10[医学] 

基　　金：上海市引进海外高层次留学人员专项资金上海市卫生局科研课题基金基金号044031 

主　　题：事件相关电位N400 神经发生源 低分辨率电磁断层扫描术 

摘      要：目的事件相关电位(event-related potentials,ERPs)N400是与语境歧义处理相关的高级认知电位,研究应用于精神分裂症的认知功能障碍。有关N400神经发生源,国内外均少有研究报道。本研究应用“低分辩率电磁断层扫描术(low resolution electromagnetic tomography,LORETA)技术研究 N400的神经发生源。方法ERPs应用汉词语词对(S1-S2)诱发。S1-S2的关系为:语义关联对、语义非关联对和汉词-人造词对。脑电信号应用17导电极记录。被试为18例正常健康者,男9,女9,平均年龄25．2±4．4岁。应用LORETA软件中内含的“统计学非参数地形图(statistical non-parametric mapping,SnPM)程序分析被试处理不同类语词时所激活的脑功能区差异。结果与语义关联词对中S2诱发ERPs相比,语义非关联词对中S2诱发出潜伏期在300-500 ms左右的负向偏转成分N400。分别比较S2开始后300-350 ms、350-400 ms、400-450 ms和450-500 ms时间窗内两类刺激语词激活的脑功能区,发现具有显著性差异的脑功能区集中在左半球的颞上回、颞中回、岛回、梭状回、后扣带回和海马旁回等区域。结论事件相关电位N400的神经发生源位于优势半球的颞叶及扣带回-海马结构。