Mo_2C膜表面粗糙化规律的计算机模拟
Simulation of the Roughening Law for Mo_2C Film Surface作者机构：西南师范大学物理系重庆400715 西南师范大学化学系重庆400715
出 版 物：《Chinese Journal of Chemical Physics》 (化学物理学报（英文）)
年 卷 期：2000年第13卷第4期
页 面：461-467页
核心收录：
学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
摘 要：引入晶粒边界修正，改进了Ｍｏ２Ｃ膜表面粗糙化物理模型，将ＤＴ２模型推广到包括有温度的情况，对Ｍｏ２Ｃ膜表面形态进行计算机模拟并统计模拟图的高度分布，确定表面粗糙度随沉积时间和基底温度的变化规律。结果表明：引入晶粒边界修正大大促进了理论与实验结果的一致， Ｍｏ２Ｃ膜表面粗糙化属快速粗造化，粗造度随基底温度升高而非线性地增大。
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