用正电子湮没研究纳米碲化铋的缺陷及其对热导率的影响

作     者：贺慧芳 陈志权 

作者机构：武汉大学物理学院湖北核固体物理重点实验室武汉430072 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2015年第64卷第20期

页      面：386-391页

核心收录：

学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 070301[理学-无机化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:11275143 11305117)资助的课题~~ 

主　　题：Bi_2Te_3 正电子 空位型缺陷 热导率 

摘      要：利用水热法合成了Bi_2Te_3纳米粉末,并在300—500℃的温度范围内对其进行等离子烧结.X射线衍射测试表明制得的Bi_2Te_3粉末是单相的.对于300—500℃范围内烧结的样品,扫描电子显微镜观察发现随着烧结温度的升高样品颗粒明显增大,但是根据X射线衍射峰的宽度计算得到的样品晶粒大小并没有明显的变化.正电子湮没寿命测试结果表明,所有的样品中均存在空位型缺陷,而这些缺陷很可能存在于晶界处.正电子平均寿命随着烧结温度的升高而单调下降,说明较高的烧结温度导致了空位型缺陷浓度的降低.另外,随着烧结温度从300℃升高到500℃,样品的热导率从0.3 W.m^(-1)·K^(-1)升高到了2.4 W·m^(-1)·K^(-1),这表明在纳米Bi_2Te_3中,空位型缺陷和热导率之间存在着密切的联系.