基于VO_2薄膜非致冷红外探测器光电响应研究

作     者：陈长虹 易新建 熊笔锋 CHEN Chang-Hong;YI XIN-JIAN;XIONG Bi-Feng

作者机构：华中科技大学光电工程系武汉430074 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2001年第50卷第3期

页      面：450-452页

核心收录：

学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程] 

主　　题：非致冷测辐射热探测器 红外探测器 二氧化钒 薄膜 光电响应 

摘      要：VO2 薄膜是非致冷微测辐射热红外探测器热敏电阻材料 .研究中应用微电子工艺制备了VO2 溅射薄膜红外探测器 ,在 2 96K的环境中测试了该探测器在不同的直流偏置、光调制频率下对 873K标准黑体源 8— 12 μm红外辐射的光电响应以及器件的噪声电压 ,在 10和 30Hz的调制频率下其响应率分别大于 17kV/W和接近 10kV/W .该探测器实现了探测率D 大于 1 0× 10 8cmHz/W ,热时间常量为 0 0 11s的 8— 12