800kV超高压直流可控硅阀的设计和试验
Design and Testing of Thyristor Valves for 800kV HVDC Projects作者机构：AREVA T&D - Power Electronics UK
出 版 物：《华东电力》 (East China Electric Power)
年 卷 期：2007年第35卷第C期
页 面：27-34页
学科分类：080801[工学-电机与电器] 0808[工学-电气工程] 08[工学]
摘 要：可控硅阀有完善的均压电路.因此,按电压比例增加串接级数并不增加各级正常工作电压应力.但是,扩充到800 kV时,为了避免电晕放电和达到经济上的低廉,但又有安全的阀厅空气间隙,必须对电极表面几何形状进行特殊优化.寄生电容上储存的能量随电压的平方增加,这在阀电抗器的设计中对于接通di/dt的控制有重要影响.阀厅的绝缘故障就更为严重,需要特别注意对陡前波电压的控制.变流器阀的大尺寸将影响阀的机械设计,尤其是对地震活跃地区的应用.即使装备很好的实验室,800 kV阀的试验要求仍将是一个挑战.本文考虑了以上问题,并讨论了主要电路的拓扑结构对这些问题的影响.
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