基于光电子显微镜的X射线近吸收边结构研究

作     者：张增明 丁泽军 Yoshikawa H Fukushima S Shimizu R Koshkawa T 

作者机构：中国科技大学 日本物质.材料科学研究所 日本大阪工业大学 日本大阪电气通信大学 

出 版 物：《电子显微学报》 (Journal of Chinese Electron Microscopy Society)

年 卷 期：2004年第23卷第4期

页      面：424-424页

核心收录：

学科分类：070207[理学-光学] 07[理学] 08[工学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (No 10 0 2 5 42 0 2 0 0 75 0 2 6 90 2 0 60 0 9) 日本政府创新科学研究重点资助项目 (No 13GS0 0 2 2 ) 

主　　题：光电子显微镜 X射线吸收 吸收边结构 图像分析 

摘      要：利用基于第三代同步辐射光源的光电子显微镜图像[1,2](图1),我们测量了银的L3全电子产生几率模式的X射线近吸收边结构谱,同Burattini等的透射实验结果比较[3,4],二者十分吻合,说明反射、透射模式的X射线近吸收边结构谱均能很好地描述材料的非占有电子态结构.进一步利用描述电子在固体内的散射过程及级联产生的二次电子过程的蒙特卡罗模型[5]计算了银的L3吸收边上、下的X光子激发的光电子、俄歇电子及其级联产生的二次电子对全部出射电子的贡献.全电子产生几率同实验结果接近,同时在吸收边两侧全电子产生几率的比值也同实验测量结果一致.利用Burattini的X射线在L3吸收边两侧的吸收系数,模拟计算了全电子产生模式的X射线近吸收边结构,并很好地再现了实验谱(图2).