基于LPIND的硅基等离子天线

作     者：刘会刚 梁达 任立儒 耿卫东 LIU Huigang;LIANG Da;REN Liru;GENG Weidong

作者机构：南开大学电子信息与光学工程学院天津300071 

出 版 物：《中国科技论文》 (China Sciencepaper)

年 卷 期：2016年第11卷第2期

页      面：134-138页

学科分类：080904[工学-电磁场与微波技术] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61401237) 天津市自然科学基金资助项目(13JCQNJC01200) 高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20130031120034) 国家级大学生创新创业训练计划资助项目(201410055056) 

主　　题：LPIND 自加热效应 硅基等离子天线 低功耗 

摘      要：首先介绍了LPIND(Lateral Positive-Intrinsic-Negative Diode)及其在硅基等离子天线方面的应用,并对LPIND进行建模,仿真分析了不同SOI(Silicon On Insulator)埋层材料对LPIND本征区载流子浓度的影响,仿真结果显示,LPIND的自加热效应会降低本征区载流子浓度,通过改变埋层材料,增加埋层的热导率,可以减弱自加热效应。其次给出了LPIND本征区电导率的仿真结果,完成了基于LPIND的半波偶极子天线的设计与仿真,仿真结果显示,本征区电导率和硅衬底厚度会影响天线的回波损耗(S11)。最后总结了降低LPIND静态功耗的有效设计方法。