p-n结脉冲激光诱发电荷收集试验研究

作     者：薛玉雄 杨生胜 郭刚 把得东 安恒 田恺 曹洲 史淑廷 沈东军 XUE Yuxiong;YANG Shengsheng;GUO Guang;BA Dedong;AN Heng;TIAN Kai;CAO Zhou;SHI Shuting;SHEN Dongjun

作者机构：兰州空间技术物理研究所真空低温技术与物理重点实验室兰州730000 中国原子能科学研究院核物理所北京102413 

出 版 物：《核技术》 (Nuclear Techniques)

年 卷 期：2012年第35卷第5期

页      面：357-360页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：真空低温技术与物理重点实验室基金(9140C55020912OC5501)资助 

主　　题：半导体p-n结 脉冲激光 电荷收集 单粒子效应 

摘      要：测量了脉冲激光诱发半导体p-n结的瞬态脉冲电流,研究瞬态脉冲幅值和收集电荷与能量、偏压及入射位置的相关性。研究结果表明,瞬态脉冲信号幅值和收集到的总电荷随脉冲激光能量的增大而增多,与激光能量呈指数关系;收集电荷随偏压而增大;敏感区内的收集电荷数相差不大,远离敏感区的收集电荷明显减小。另外,将研究结果与重离子试验数据进行比对,两者有一定的相似性,但电荷收集脉冲幅值、脉冲波形有一定的差异。其结果为深入研究激光模拟单粒子效应技术奠定了基础。