适用于射频识别标签的64-kbit嵌入式阻变存储器

作     者：毕中裕 简文翔 金钢 彭巍 闫娜 闵昊 林殷茵 BI Zhongyu;JIAN Wenxiang;JIN Gang;PENG Wei;YAN Na;MIN Hao

作者机构：复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2011年第31卷第4期

页      面：398-403页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：国家重点实验室面上项目(09MS009) 国际科技合作项目(2010DFB13040) 

主　　题：阻变存储器 低功耗 射频识别标签 高压稳压环路 电容分压 

摘      要：设计并实现了一颗适用于射频识别(RFID)标签的低功耗嵌入式64-kbit阻变存储器芯片。提出了新型的带尖峰电流控制功能的高压稳压电路,在提供稳定编程电压的同时降低了芯片电源上的瞬态大电流,改善了存储器电路的可靠性;设计了适用于2T2R(2 Transistors and 2 Resistive cells)单元的敏感放大器,实现了低功耗读出。芯片在640 kb/s数据率下的读功耗为2.2μA,在5 kb/s的写数据率下的写功耗为18.5μA。芯片采用SMIC 0.13μm标准CMOS工艺制造,存储器总面积为0.39 mm2。