混合故障模型下离散 Hopfield 联想存储器的鲁棒性

作     者：许荔秦 胡东成 XU Liqin;HU Dongcheng

作者机构：清华大学自动化系北京100084 

出 版 物：《清华大学学报（自然科学版）》 (Journal of Tsinghua University(Science and Technology))

年 卷 期：1999年第39卷第7期

页      面：46-49页

核心收录：

学科分类：08[工学] 081201[工学-计算机系统结构] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金 国家教委博士点基金 

主　　题：联想存储器 神经网络 鲁棒性 DHAM 混合故障模型 

摘      要：离散 Ｈｏｐｆｉｅｌｄ 联想存储器（ Ｄ Ｈ Ａ Ｍ）在联想记忆方面有很大的优点，但是在硬件实现过程中存在着各种故障。对于软硬故障同时存在情况下 Ｄ Ｈ Ａ Ｍ 的性能进行分析是很有必要的。该文对 Ｄ Ｈ Ａ Ｍ 建立了同时包含权值误差、权值断路、神经元输出固值等各种软、硬故障的故障模型，定义了概率意义下 Ｄ Ｈ Ａ Ｍ 的鲁棒性。运用概论统计的方法推导出了运行于同步方式下 Ｄ Ｈ Ａ Ｍ 的鲁棒性，推导中对结果进行了近似处理。对 Ｄ Ｈ Ａ Ｍ 系统进行了仿真实验，与利用这种鲁棒性分析方法计算进行了对比，结果相差非常小，证实了此方法的正确性，可以用于 Ｄ Ｈ Ａ Ｍ 的可靠性计算。