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Cu 在 FeCl_3 溶液中的蚀刻研究

Etching of copper in FeCl3 solution

作     者:蔡坚 马莒生 曹育文 唐祥云 ?CAI JIAN;MA JUSHENG;CAO YUWEN;TANG XIANGYUN DEPARTMENT OF MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING;TSINGHUA UNIVERSITY;BEIJING;CHINA?

作者机构:清华大学材料科学与工程系 

出 版 物:《清华大学学报(自然科学版)》 (Journal of Tsinghua University(Science and Technology))

年 卷 期:1998年第38卷第3期

页      面:82-85页

核心收录:

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 080503[工学-材料加工工程] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 

基  金:国家自然科学基金 

主  题: 蚀刻 钝化膜 集成电路 

摘      要:研究了FeCl3溶液浓度、温度及样品在溶液中的运动速度对Cu蚀刻速度的影响。在所研究的溶液浓度范围内,蚀刻过程为扩散控制为主的过程;在溶液相对密度为1.26~1.32时Cu的蚀刻速度具有极值。Cu在FeCl3溶液中蚀刻其表面有CuCl膜的沉积,钝化膜对Cu的蚀刻有大的影响;蚀刻反应受Fe3+通过钝化膜的扩散过程控制。试验拟定了初步的蚀刻工艺。

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