应用于1.55微米的高含氮量GaInNAs/GaAs单量子阱的光激反射和光激发光的研究

作     者：陈自雄 苏国和 HUNG C.T. CHEN Tzu-hsiung;SUK.H.;HUNGC. T.

作者机构：台北技术与科学研究院电子工程系 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2008年第31卷第1期

页      面：52-56页

学科分类：070207[理学-光学] 07[理学] 08[工学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 

基　　金：The author T. H. Chen gratefully aeknowledge the support of the Technology and Science Institute of Northern Taiwan 

主　　题：单量子井 光激反射 光激发光 Franz-Keldysh振动 FWHM 

摘      要：用光的反射光谱和光的光致发光光谱的测量对Ga0.69In0.31NxAs1-x/GaAs的单量子阱的光学特性作了研究,在单量子阱的反射光谱中,观察到GaAs能隙之上的Franz-Keldysh振荡和来源于量子阱区的各种类激子跃迁, Franz-Keldysh振荡确定量子阱的内建电场并发现它是随N的浓度增加而增加;反射信号随样品中氮耦合增强而减弱,因为温度降低时载流子的定域作用导致调制效应的弱化。激子跃迁的能量和温度关系按照Varshni和爱因斯坦-玻司方程作了研究,在PL谱中观察到的11 H跃迁能量和谱线展宽的温度反常关系解释为起源于氮耦合所引起的定域态,这种样品的谱线特征为随氮成份增加出现红移,氮结合作用的另一个结果是晶体的性质严重退化,明显地表现线宽受温度的影响增大。总之,氮引进系统会观察到GaAs边带以上的FkO导致内建场增大,有低温时高激发态叠加并屏闭在定域态上的部分调制外场作用的倾向。PL峰能量和线宽对温度的反常关系可以理解为由氮的结合作用引起的形成定域态和去除定域态的竞争结果。