硅表面原子芯态能级的化学位移
Core Level Chemical Shift for Silicon Surface Atoms作者机构：中国科学院半导体研究所
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)
年 卷 期：1989年第10卷第1期
页 面：8-11页
核心收录：
学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
基 金：国家自然科学基金
摘 要：本文以共价晶体硅的(100)面为例,直接采用原子波函数,在键轨道模型近似下计算了清洁和存在氧吸附的表面Si原子的2p能级结合能的位移,得到了与实验数据相吻合的结果,从而证明了利用这种方法研究芯能级结合能的位移是行之有效的.
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