GaN载流子浓度和迁移率的光谱研究

作     者：李志锋 陆卫 叶红娟 袁先璋 沈学础 G.Li S.J.Chua LI ZHI-FENG;LU WEI;YE HONG-JUAN;YUAN XIAN-ZHANG;SHEN XUE-CHU;G.Li S.J.Chua

作者机构：中国科学院上海技术物理研究所 InstituteofMaterialsResearchandEngineering 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2000年第49卷第8期

页      面：1614-1619页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0704[理学-天文学] 

主　　题：外延薄膜 载流子浓度 迁移率 氧化镓 光谱 

摘      要：用红外反射光谱的方法对生长在蓝宝石衬底上的α GaN外延薄膜的载流子浓度和迁移率进行了研究 .通过测量蓝宝石衬底和不同Si掺杂浓度的一系列GaN外延膜的远红外反射谱并进行理论计算和拟合 ,得到GaN中的声子振动参量和等离子振荡的频率及阻尼常量 ,并由此计算得到其载流子浓度和迁移率 .计算结果 ,红外方法得到的载流子浓度与Hall测量相一致 ,但迁移率比Hall迁移率要低约二分之一 .同时红外谱与喇曼谱上明显观察到LO声子与等离子体激元耦合模 ,(LPP)