H掺杂α-Fe2O3的第一性原理研究
First-principles calculation for hydrogen-doped hematite作者机构:北京科技大学新材料技术研究院北京100083
出 版 物:《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期:2015年第64卷第11期
页 面:324-329页
核心收录:
学科分类:07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 0704[理学-天文学] 0702[理学-物理学]
基 金:中央高校基本科研经费专项资金(批准号:FRF-SD-12-027A,FRF-TP-13-047) 新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-12-0778) 科技部创新方法工作专项项目(批准号:2012IM030500)资助的课题~~
摘 要:α-Fe2O3是一种重要的磁性半导体材料,在电子器件中应用广泛,具有重要的研究意义.本文基于密度泛函理论,采用GGA+U方法,应用第一性原理对间隙H掺杂前后的六方相α-Fe2O3的晶格常数、态密度、Bader电荷分布进行了计算分析.研究了U值对结果的影响,发现U=6 eV时,体相α-Fe2O3的晶胞平衡体积、Fe原子磁矩、带隙值与实验值最符合.在选取合适U值后,第一性原理计算结果表明,H掺杂后,间隙H部分被氧化,其最近邻的Fe和O部分被还原,H和O有一定程度的成键.在费米面附近,出现了新的杂化能级,杂化能级扩展了价带顶的宽度,同时导带底下移,引起带隙减小,表明H掺杂是一种有效的能带结构调控方法.