溅射气压对ZnO∶Ga薄膜结构和光电性能的影响

作     者：江书柜 胡跃辉 张效华 胡克艳 陈义川 朱文均 帅伟强 劳子轩 JIANG Shugui;HU Yuehui;ZHANG Xiaohua;HU Keyan CHEN Yichuan;ZHU Wenjun;SHUAI Weiqiang;LAO Zixuan

作者机构：景德镇陶瓷大学机械电子工程学院 

出 版 物：《中国陶瓷》 (China Ceramics)

年 卷 期：2018年第54卷第7期

页      面：8-12页

学科分类：080503[工学-材料加工工程] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金(61464005、51562015) 江西省自然科学基金(20143ACB21004,20151BAB202010,20151BAB212008,20171BAB216015) 江西省对外合作项目(20151BDH80031) 江西省重点研发计划项目(20171BBE50053) 

主　　题：溅射气压 镓掺杂 射频磁控溅射 

摘      要：采用射频磁控溅射法在玻璃基底上沉积生长Ga掺杂Zn O薄膜（GZO）。研究了第二阶段不同溅射气压对薄膜晶体结构,光电性能的影响,且分别在气压为1 Pa/0.4 Pa、1 Pa/0.7 Pa、1 Pa/1 Pa、1 Pa/1.3 Pa条件下制备薄膜。通过X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、紫外-可见-近红外光谱仪（UV-VIS）,偏振稳态荧光光谱仪和四探针测试仪等表征手段对样品进行表征。结果表明：第二阶段不同溅射气压下GZO薄膜都具有（002）方向的择优取向,且均呈Zn O的六角纤锌矿晶体结构;在透过率方面,分析波长在300800 nm可见光范围时,GZO薄膜样品的平均透过率均可达到90%以上,而样品的最小电阻率为1.752×10-4Ω·cm;光致发光光谱中,1#出现了深蓝色发光峰,其余样品则出现近带边紫外发光峰。