Bi_4Ti_3O_(12)/BaTiO_3铁电复合薄膜的制备

作     者：张云婕 陈长乐 郭兵 王晶 ZHANG Yunjie;CHEN Changle;GUO Bing;WANG Jing

作者机构：西北工业大学理学院凝聚态结构与性质陕西省重点实验室陕西西安710129 

出 版 物：《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)

年 卷 期：2014年第33卷第4期

页      面：13-16页

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(No.61078057 No.51172183 No.51202195) 陕西省自然科学基金资助项目(No.2012JQ8013) 

主　　题：BIT BTO铁电复合薄膜 分子束外延 剩余极化强度 矫顽场 振幅 电压蝴蝶曲线 畴翻转特征 

摘      要：利用脉冲激光分子束外延技术(MBE)在LaAlO3(100)基片上依次沉积了La2/3Sr1/3MnO3(LSMO)、BaTiO3(BTO)和Bi4Ti3O12(BIT)薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、压电力显微镜(PFM)和铁电仪研究了复合薄膜的晶体结构、表面形貌、畴结构、单点压电响应信号以及电滞回线。结果表明所制BIT/BTO铁电复合薄膜沿c轴择优取向生长,其PFM相位曲线的畴翻转特征加之明显的振幅-电压蝴蝶曲线证实了该复合薄膜具有良好的铁电性;在外加8 V电压下BIT/BTO复合薄膜的剩余极化强度(2Pr)为(2.6±0.1)×10–6 C/cm2,而单层BIT和BTO铁电薄膜的2Pr仅为(1.1±0.1)×10–6 C/cm2和(0.3±0.1)×10–6 C/cm2,该现象与复合薄膜的界面效应以及晶体结构畸变有关。