基于干法刻蚀技术的氮化镓MEMS加工工艺(英文)

作     者：杨振川 吕佳楠 闫桂珍 陈敬 YANG Zhen-chuan;L(U) Jia-nan;YAN Gui-zhen;CHEN Jing

作者机构：北京大学微米/纳米加工技术国家级重点实验室北京100871 北京大学微电子学研究院北京100871 香港科技大学电子与计算机工程系 

出 版 物：《纳米技术与精密工程》 (Nanotechnology and Precision Engineering)

年 卷 期：2011年第9卷第1期

页      面：78-82页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 080402[工学-测试计量技术及仪器] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60706028) 

主　　题：干法刻蚀 氮化镓(GaN) MEMS 

摘      要：氮化镓(GaN)材料已成功应用于光电子器件、高频功率器件等领域.近年来,由于GaN优异的材料特性,例如机械、热、化学稳定性以及生物兼容性等,使基于GaN的微机电系统(MEMS)得到了学术界的广泛关注.针对氮化镓MEMS结构的有效的图形化及释放技术是工艺研究的重点.设计、采用了一种全干法刻蚀技术,实现了(111)晶向硅衬底上的氮化镓基MEMS微结构的加工制造.利用提出的工艺方案,实现了多种悬浮GaN微结构的加工与测试表征实验.通过电子扫描显微镜(SEM)和光学轮廓仪进行了基本形貌表征;利用微拉曼光谱实验进行了加工结构的残余应力表征.