Bi的A位掺杂对CaCu3Ti4O12陶瓷电性能的影响
Influence of A-site Bi-doping on Electric Properties of CaCu3Ti4O12作者机构：湖北大学物理与电子科学学院
出 版 物：《中国陶瓷》 (China Ceramics)
年 卷 期：2018年第54卷第6期
页 面：36-39页
学科分类：080503[工学-材料加工工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
主 题：CaCu3Ti4O12陶瓷 掺杂 介电谱 非线性系数
摘 要：采用传统固相法制备了Bi掺杂CaCu3Ti4O12陶瓷。采用X射线衍射分析了样品的相结构,采用介电温谱和Ⅰ-Ⅴ曲线研究了其介电和非线性特性。结果表明,Bi掺杂CaCu3Ti4O12陶瓷均为立方相类钙钛矿结构。Bi的A位掺杂在保持陶瓷较高介电常数的同时使得其介电损耗有所降低,同时也导致非线性系数的降低,并认为晶粒晶界形成的阻挡层电容器结构对其巨介电特性及非线性行为有重要贡献。
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