电平转换电路的NBTI老化分析与容忍设计
NBTI Aging Analysis and Aging-Tolerant Design of Level Shifter作者机构：合肥工业大学电子科学与应用物理学院合肥230009
出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)
年 卷 期：2018年第48卷第3期
页 面：353-358页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
基 金：国家自然科学基金资助项目(61371025 61574052)
摘 要：电平转换电路是多电压设计中重要的组成部分,用来满足不同电压域间信号的传递。基于32nm CMOS工艺,在100℃下,分析了NBTI老化对传统电平转换电路的影响,并提出应对老化的方案。设计了一种改进的老化容忍的电平转换电路,限制了交叉耦合对的竞争,并采用多阈值技术平衡了功耗与时延。仿真结果表明,与原电路相比,该电路可以在更低的输入电压下正常工作。不同输入电压下,功耗和时延大幅降低。该电路具有很好的老化容忍能力。
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