不同位置二极管串并联方式对射频电路的影响
Influence of series and parallel diodes in different positions on RF circuit作者机构：中国人民解放军战略支援部队信息工程大学信息系统工程学院郑州450001
出 版 物：《强激光与粒子束》 (High Power Laser and Particle Beams)
年 卷 期：2018年第30卷第7期
页 面：68-74页
核心收录：
学科分类：080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
基 金：国家重大专项
摘 要：分析了单支肖特基二极管以及串并联模拟预失真电路的幅度和相位的非线性特性,仿真结果表明可以将二极管作为模拟预失真电路可调节的核心器件。利用传输矩阵分析得出改变肖特基二极管在预失真电路的不同位置,及不同的串并联连接方式,可以使幅度相位补偿曲线得到改善。由仿真结果可以看出,在不同位置以串联或并联的形式在电路中连接二极管,可有效改变曲线的位置和斜率,从而得到理想的目标曲线形状。
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