热蒸发制备CdSe薄膜的退火工艺研究

作     者：裴传奇 张志勇 张敏 杨辉 刘其娅 曾体贤 PEI Chuanqi;ZHANG Zhiyong;ZHANG Min;YANG Hui;LIU Qiya;ZENG Tixian

作者机构：西华师范大学物理与空间科学学院南充637002 中国科学院国家天文台北京100012 

出 版 物：《材料导报》 (Materials Reports)

年 卷 期：2017年第31卷第A1期

页      面：242-245页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 0702[理学-物理学] 

基　　金：四川省科技厅应用基础项目(2014JY0133) 中国科学院太阳活动重点实验室开放课题(KLSA201514) 

主　　题：热蒸发 CdSe薄膜 退火温度 退火时间 

摘      要：采用真空热蒸发技术在光学玻璃基底上制备了CdSe薄膜,研究了真空下不同退火温度和退火时间对CdSe薄膜晶体结构和表面形貌的影响。XRD结果表明,在400~500℃范围下退火2h、5h的CdSe薄膜晶型不发生改变,结晶性随退火温度升高而增强,其晶粒尺寸从32nm增加至50nm。SEM结果表明,在450℃下退火2h后的CdSe薄膜表面颗粒分布均匀且排列规则、无裂纹。AFM结果表明,在450℃下退火2h后的CdSe薄膜致密性好,表面粗糙度低(5.19nm)。因此采用真空热蒸发制备的CdSe薄膜的热处理条件确定为:退火温度450℃,退火时间2h。