窄线宽1064 nm分布布拉格反射半导体激光器

作     者：贾宝山 王皓 李爱民 王梦鹤 都继瑶 李辉 李再金 薄报学 曲轶 Jia Baoshan;Wang Hao;Li Aimin;Wang Menghe;Du Jiyao;Li Hui;Li Zaijin;Bo Baoxue;Qu Yi

作者机构：长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022 长春理工大学质量监控与评估中心吉林长春130022 海南师范大学物理与电子工程学院海南海口571158 

出 版 物：《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)

年 卷 期：2018年第45卷第5期

页      面：35-39页

核心收录：

学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：国家自然科学基金联合基金(U1330136) 2015年吉林省择优资助博士后科研项目 

主　　题：激光器 1064nm半导体激光器 分布布拉格反射激光器 单模激光器 脊型波导 窄线宽 

摘      要：1064nm分布布拉格反射(DBR)半导体激光器具有窄线宽、输出稳定的特性,在自由空间激光通信用种子光源等方面具有广阔的应用前景。设计了一种单模、窄线宽的1064nm DBR半导体激光器,利用金属有机化合物气相沉积技术生长出InGaAs应变量子阱半导体激光器材料,并制备出腔长为1200μm的脊型波导1064nm DBR半导体激光器。当注入电流为70mA时,室温下该激光器的连续输出功率可达到7mW,3dB光谱线宽为0.12nm。