三维ZnO/CuO纳米树的制备及其光电化学性能的研究

作     者：于晶晶 廖斌 张旭 Yu Jingjing;Liao Bin;Zhang Xu

作者机构：北京师范大学核科学与技术学院射线束技术与材料改性教育部重点实验室北京市辐射中心 

出 版 物：《稀有金属》 (Chinese Journal of Rare Metals)

年 卷 期：2018年第42卷第5期

页      面：449-456页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金青年基金项目(11305009)资助 

主　　题：热氧化法 水热法 泡沫铜 三维ZnO/CuO纳米树 光电化学性能 

摘      要：采用简单的热氧化法和水热生长法,在泡沫铜上成功制备了三维ZnO/CuO纳米树（3D ZnO/CuO NTs）阵列。利用扫描电镜（SEM）、电子能谱（EDS）和透射电镜（TEM）对3D ZnO/CuO NTs的形貌,成分以及结构进行了表征。结果表明：3D ZnO/CuO NTs是由CuO纳米线（CuO NWs,双晶结构）主干和ZnO纳米线（ZnO NWs,单晶结构）分枝构成的。通过调整ZnONWs的生长时间,得到不同形貌的3D ZnO/CuO NTs,并对其生长机制进行了分析。重点研究了3D ZnO/CuO NTs电极的光电化学性能,包括光电流密度,光稳定性和光生载流子分离/复合的过程。结果表明：随着ZnO NWs生长时间t增加,电极的光电化学性能增加,当t过长,反而下降。本研究中ZnO NWs生长的最佳时间为30 min,3D ZnO/CuONTs电极的光电流密度高达-2.78 mA·cm^-2（-0.5 V vs Ag/AgCl RE）。相比单一的CuO NWs电极,光电流密度增加了38%。并且表现出相对较好的光稳定性,具有优良的光电转换性质。这些成果显示了在泡沫铜上制备的3D ZnO/CuO NTs具有优异的光电化学性能,在光阴极材料方面具有很好的应用潜力。