溅射功率对ZnO:Ga薄膜的结构和光电性能的影响

作     者：夏贤义 胡跃辉 张效华 胡克艳 陈义川 朱文均 帅伟强 劳子轩 XIA Xianyi, HU Yuehui, ZHANG Xiaohua ,HU Keyan, CHEN Yichuan, ZHU Wenjun, SHUAI Weiqiang, LAO Zixuan

作者机构：景德镇陶瓷大学机械电子工程学院 

出 版 物：《中国陶瓷》 (China Ceramics)

年 卷 期：2018年第54卷第5期

页      面：16-20页

学科分类：08[工学] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：国家自然科学基金(61464005、51562015) 江西省自然科学基金(20143ACB21004,20151BAB202010,20151BAB212008,20171BAB216015) 江西省对外合作项目(20151BDH80031) 江西省主要学科学术带头人项目(20123BCB22002) 江西省重点研发计划项目(20171BBE50053) 

主　　题：磁控溅射 ZnO:Ga薄膜 溅射功率 玻璃衬底 

摘      要：采用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO：Ga薄膜,并使用XRD、SEM、UV-VIS和霍尔测试仪等测试手段分析研究了不同功率对ZnO：Ga薄膜的结构以及光学和电学性能的影响。实验结果表明：制备的ZnO：Ga薄膜为六角纤锌矿结构,且具有明显的C轴择优取向;随着溅射功率逐渐从100W增加到175W,玻璃衬底上薄膜的结晶程度越来越高,当溅射功率超过175W时,结晶强度减弱;在可见光范围内,薄膜样品的透过率均达到84%以上,具有良好的透光性能;同时我们发现实验制得的薄膜导电率随着溅射功率的增加而加强。