S波段GaN MMIC Doherty功率放大器

作     者：任健 要志宏 REN Jian;YAO Zhihong

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所河北石家庄050051 

出 版 物：《太赫兹科学与电子信息学报》 (Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology)

年 卷 期：2018年第16卷第2期

页      面：363-367页

学科分类：0810[工学-信息与通信工程] 08[工学] 081001[工学-通信与信息系统] 

主　　题：氮化镓 高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 Doherty功放 

摘      要：采用SiC衬底0.25μm Al GaN/GaN高电子迁移率晶体管工艺,研制了一款S波段GaN单片微波集成电路(MMIC)Doherty功率放大器,在回退的工作状态下仍可以保持较高的效率,可用于小型基站。为减小芯片尺寸,采用无源集总元件替代四分之一阻抗变换线;在输入端没有采用功分器加相位补偿线的结构,而是设计了一种集总结构的电桥来提高集成度。脉冲测试表明,在3~3.2 GHz频率范围内,饱和输出功率大于10 W,在回退6 dB处的功率附加效率(PAE)为38%,芯片尺寸为4.0 mm×2.4 mm。