石墨烯的等离子体增强化学气相沉积法合成

作     者：姚涵 何叶丽 陈育明 YAO Han1, HE Ye-li2, CHEN Yu-ming3

作者机构：上海交通大学附属中学嘉定分校上海201800 上海市纺织科学研究院有限公司上海200082 复旦大学信息科学与工程学院上海200433 

出 版 物：《印染》 (China Dyeing and Finishing)

年 卷 期：2018年第44卷第5期

页      面：12-17页

学科分类：0821[工学-纺织科学与工程] 08[工学] 082103[工学-纺织化学与染整工程] 

主　　题：石墨烯 等离子体 化学气相沉积 低温 光电特性 

摘      要：石墨烯具有优异的光电性能,是极具潜力的新一代导电材料。采用传统的热化学气相沉积法制备单层石墨烯需要高温反应条件,试验尝试采用等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD),在550℃的反应温度下,较短的反应时间内,在铜箔衬底上制备出石墨烯薄膜。考察了甲烷和氢气流量比、氩气的作用以及衬底通电与否等因素对石墨烯生长的影响。研究发现,在甲烷与氢气流量比为1∶1,通入氩气,不给铜箔衬底通电的试验条件下,制备出的石墨烯薄膜电阻值为4.15 kΩ,显示出较好的光电特性。