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Al_2O_3掺杂BaTi_(0.85)Sn_(0.15)O_3陶瓷的制备及性能表征

Preparation and properties characterization of Al_2O_3 doping BaTi_(0.85)Sn_(0.15)O_3 ceramics

作     者:朱谷城 胡波平 万美茜 周耐根 ZHU Gucheng, HU Boping, WAN Meiqian, ZHOU Naigen

作者机构:南昌大学材料科学与工程学院 

出 版 物:《复合材料学报》 (Acta Materiae Compositae Sinica)

年 卷 期:2018年第35卷第3期

页      面:647-652页

核心收录:

学科分类:08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 0703[理学-化学] 0801[工学-力学(可授工学、理学学位)] 0702[理学-物理学] 

基  金:国家自然科学基金(51561022 51361022) 

主  题:锡钛酸钡(BTS) Al2O3掺杂 微观结构 介电性能 挠曲电性能 

摘      要:通过传统固相二次烧结法来制备xwt%Al_2O_3(x=0、1.0、1.5)/BaTi_(0.85)Sn_(0.15)O_3(BTS)陶瓷。研究了掺杂不同含量Al_2O_3对BTS陶瓷的微观结构、介电性能及挠曲电性能的影响。结果表明,掺杂Al_2O_3的BTS陶瓷不改变陶瓷的晶体结构,仍为标准钙钛矿结构晶型;Al_2O_3的掺入能够有效降低晶粒尺寸,具有明显的细晶作用。随着Al_2O_3含量的增大,Al_2O_3/BTS陶瓷的介电常数减小,介电损耗得到明显改善,居里峰逐渐宽化且向温度高的方向偏移。Al_2O_3/BTS陶瓷的挠曲电系数随着Al_2O_3含量的增加和测试环境温度的升高均减小。此外,Al_2O_3/BTS陶瓷的挠曲电系数和介电常数之间存在一种近线性关系,但当温度非常接近于居里温度时,这种线性关系减弱。

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