氧离子辅助反应蒸发法制备ITO薄膜的研究
Study on Ion-Assisted Reactive Evaporated ITO Films作者机构:华中光电技术研究所武汉430073
出 版 物:《光学与光电技术》 (Optics & Optoelectronic Technology)
年 卷 期:2007年第5卷第1期
页 面:71-74页
学科分类:08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)]
摘 要:采用氧离子辅助电子束反应蒸发工艺在K9玻璃基底上制备了性能优异的ITO薄膜。通过对薄膜方块电阻和透过率的测量分析,研究了基底温度、离子束流、沉积速率等工艺参数对ITO薄膜光电性能的影响。发现升高基底温度有利于减小薄膜的短波吸收,但过高的基底温度会增加薄膜的电阻率,合适的沉积速率可以同时改善薄膜的光学和电学性能。在比较理想的工艺参数下制备的ITO薄膜的电阻率约为5.4×10^-4Ω·cm,可见光(波长范围425-685nm)平均透过率达84.8%,其光电性能均达到实用化要求。